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碳納米管存儲結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法

分類 : 專利

發(fā)布人 :

日期 : 2022-05-11

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需求信息

     本發(fā)明提供了一種碳納米管存儲結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法,首先在基底上形成第一介質(zhì)層,再形成暴露出第一電極的第一溝槽,再在第一溝槽中形成碳納米管和第二電極,由于沒有使用多層掩膜層及多步刻蝕工藝形成碳納米管和第二電極,避免了碳納米管的剝離和起泡的問題,提高了器件的穩(wěn)定性和良率;并且,本發(fā)明提供的碳納米管存儲結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法步驟少,工藝簡單、易于掌控,提高了制造器件的效率,同時也降低了制造成本。

專利信息

愿意合作方式 創(chuàng)業(yè)投資
有效截止時間 2023-05-11

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